东芝与西数在2017年经历长时间的法律诉讼及合资争议后，已于2017年12月13日达成和解，双方延展合资关系至2029年，并确保西数在Fab6中能够参与投资，延续在96层以后3D-NAND Flash的竞争门票。

东芝随即在12月21日宣布Fab 7兴建计划，集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，随着东芝、三星、英特尔、长江存储等都将扩增NAND Flash产能，对NAND Flash产业的影响将在2019年转趋明显，并使得整体产业可望呈现供过于求状况。

DRAMeXchange指出，东芝Fab 7有别于以往厂房集中于四日市，厂址改设在岩手县北上市，该厂投入量产的时程将落在2019年下半年后，主要投产96层以上的3D-NAND Flash，对整体产出真正产生影响的时间点将落在2020年。

综观2018到2020年NAND Flash扩产趋势，DRAMeXchange指出，各个阵营皆可说是磨刀霍霍，除东芝刚宣布新建的Fab 7以及已兴建中的Fab 6以外，备受各界关注的长江存储位于武汉未来城的生产基地也预计于2018年下半年开始营运，初期投产32层的3D-NAND Flash产品，并致力64层产品的开发，以拉近与其他供货商之间的差距。

除了长江存储以外，其他大厂的投资也不惶多让，包括英特尔扩建大连厂二期，为应对旺盛的Server SSD需求，目标在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash产能。

此外，三星也将扩建西安厂二期，持续放大在中国生产3D-NAND Flash的能量。

SK海力士则将在韩国清州厂区另外兴建一座新厂M15，同样以投产96层以上3D-NAND Flash为目标，预计2019年可正式进入营运。

DRAMeXchange分析指出，基于各家供货商皆在3D-NAND Flash具体新增产能，在2019年以后3D-NAND Flash市场预期会再度进入供过于求格局，而2D-NAND Flash则因供货商陆续转产，仅维持较低比重继续生产并着重于工规需求，因此2D-NAND Flash市场走势将与3D-NAND Flash脱钩，逐渐转变为利基市场。